În cadrul exercitiilor cu memorii, acestea trebuie să conțină linii de write, data input, data output, selecție pentru linie și pentru coloană. Memoria DRAM va cuprinde de asemenea un semnal de refresh ce permite reîmprospătarea stării bitului selectat (inchide circuitul între bit line si intrarea neinversoare a amplificatorului operațional).

1. (4p) Realizaţi un divizor de ceas 1 la 8.
2. (4p) Realizaţi o memorie SRAM de dimensiune de 4 biți (2 linii) cu cuvânt de 2 biţi folosind flip-flop-uri de tip D.
3. (2p) Realizaţi o memorie DRAM pe 2 linii si 2 coloane.